常見開關(guān)電源電路分析

的開關(guān)電源的構(gòu)成的電路

　　開關(guān)控制電源的主要通過電路是由輸入電磁環(huán)境干擾濾波器（EMI）、整流濾波處理電路、功率變換電路、PWM控制器設(shè)計(jì)電路、輸出整流濾波電路部分組成。12V開關(guān)電源主要檢查300V上的大濾波 電容 、整流橋各 二極管 及開關(guān)管等部位，抗干擾電路出問題也會(huì)導(dǎo)致保險(xiǎn)燒、發(fā)黑。需要注意的是：因開關(guān)管擊穿導(dǎo)致保險(xiǎn)燒一般會(huì)把電流檢測(cè) 電阻 和電源控制芯片燒壞。負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻也很容易和保險(xiǎn)一起被燒壞。24V開關(guān)電源是高頻逆變開關(guān)電源中的一個(gè)種類。什么是24V開關(guān)電源 24V開關(guān)電源就是用通過電路控制開關(guān)管進(jìn)行高速的導(dǎo)通與截止.將交流電提供給變壓器進(jìn)行變壓轉(zhuǎn)化為高頻率的交流電。開關(guān)電源廠家利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時(shí)間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制控制IC和MOSFET構(gòu)成。輔助電路有輸入過欠壓保護(hù)以及電路、輸出過欠壓保護(hù)管理電路、輸出過流保護(hù)相關(guān)電路、輸出短路電流保護(hù)我們電路等。

如下構(gòu)成的開關(guān)電源電路的框圖：

二、 輸入控制電路的原理及常見系統(tǒng)電路

1. 交流輸入整流濾波電路原理：

1防雷電路: 當(dāng)發(fā)生雷擊時(shí)，通過 mov1，mov2，mov3: f1，f2，f3，fdg1電路產(chǎn)生高壓輸入電網(wǎng)。 當(dāng)施加在壓敏電阻兩端的電壓超過其工作電壓時(shí)，電阻值減小，導(dǎo)致壓敏電阻消耗高電壓能。 如果電流太高 f1 f2和 f3會(huì)燒壞保護(hù)性的二次電路。

　?、?輸入數(shù)據(jù)濾波處理電路：C1、L1、C2、C3組成的雙π型濾波通過網(wǎng)絡(luò)主要是對(duì)輸入系統(tǒng)電源的電磁環(huán)境噪聲及雜波信號(hào)可以進(jìn)行研究抑制，防止對(duì)電源技術(shù)干擾，同時(shí)也防止學(xué)生電源管理本身發(fā)展產(chǎn)生的高頻雜波對(duì)電網(wǎng)信息干擾。當(dāng)電源開啟一個(gè)瞬間，要對(duì) C5充電，由于歷史瞬間電流大，加RT1（熱敏電阻）就能得到有效的防止浪涌電流。因瞬時(shí)能量全消耗在RT1電阻上，一定需要時(shí)間后溫度不斷升高后RT1阻值減?。≧T1是負(fù)溫系數(shù)主要元件），這時(shí)它消耗的能量也是非常小，后級(jí)電路可正常教學(xué)工作。

　　③ 整流濾波處理電路：交流工作電壓經(jīng)BRG1整流后，經(jīng)C5濾波后得到發(fā)展較為簡(jiǎn)單純凈的直流輸入電壓。若C5容量不斷變小，輸出的交流電流紋波將增大。

2，DC輸入濾波電路原理：

　　① 輸入數(shù)據(jù)濾波處理電路：C1、L1、C2組成的雙π型濾波通過網(wǎng)絡(luò)主要是對(duì)輸入系統(tǒng)電源的電磁環(huán)境噪聲及雜波信號(hào)可以進(jìn)行有效抑制，防止對(duì)電源干擾，同時(shí)也防止一個(gè)開關(guān)控制電源管理本身發(fā)展產(chǎn)生的高頻雜波對(duì)電網(wǎng)干擾。C3、C4 為安規(guī)電容，L2、L3為差模電感。

②R1、R2、R3、Z1、C6、Q1、Z2、R4、R5、Q2、RT1、C7構(gòu)成防喘振電路。 啟動(dòng)機(jī)器時(shí)，由于C6Q2的存在沒有導(dǎo)通，電流通過RT1形成回路。 當(dāng)C6上的電壓被充電到Z1的穩(wěn)定電壓時(shí)，Q2導(dǎo)通。 在RT1上瞬時(shí)電流產(chǎn)生的壓降如果C8泄漏或后級(jí)電路短路增加，Q1的導(dǎo)通使Q2沒有柵極電壓，RT1將在很短的時(shí)間內(nèi)燒壞以保護(hù)后級(jí)電路。

三、 功率變換電路

1. Mos 晶體管的工作原理: 最廣泛使用的絕緣柵 mosfet 是 mosfet，它利用半導(dǎo)體表面的電聲效應(yīng)工作。 也被稱為表面場(chǎng)效應(yīng)裝置。 由于柵極不導(dǎo)電，輸入電阻可增加到105歐姆，而 mos 晶體管利用柵極源極電壓改變半導(dǎo)體表面的感應(yīng)電荷量，以控制漏極電流的大小。